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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
1 10010
?60
0
0.1
7th Order
TWO?TONE SPACING (MHz)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 140 W (PEP)
IDQ
= 1300 mA, Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2350 MHz
5th Order
3rd Order
?20
?30
?40
?50
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
Figure 8. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
43
59
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1300 mA
Pulsed CW, 8 μsec(on), 1 msec(off)
f = 2350 MHz
49
45
31 3733
35 4139
Actual
Ideal
57
55
51
53
47
29
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
Figure 9. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0 ?55
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
42
?20
30
?25
24
?30
18
?35
6
?45
0.5 3001 10 100
?40
12
IM3
Gps
TC
= ? 30
C
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
36
?50
ηD
25C
C
?30C
85
ACPR
?10
P6dB = 53.51 dBm (224.39 W)
P3dB = 53.04 dBm (201.42 W)
P1dB = 52.22 dBm (162.72 W)
25C
85C
?30C
25C
?30C
85C
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 1300 mA
f1 = 2345 MHz, f2 = 2355 MHz
2?Carrier W?CDMA, 10 MHz
Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
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